新闻  |   论坛  |   博客  |   在线研讨会
TDM3478 N-通道增强模式MOSFET芯片
百盛电子01 | 2023-07-31 11:16:04    阅读:55   发布文章

概述
TDM3478使用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般说明
RDS(ON)< 9.7mΩ @ VGS=4.5V
 RDS(ON)< 6mΩ @ VGS=10V
高功率和电流处理能力
ESD保护
表面安装包
无铅和绿色设备可用(RoHS兼容)

应用
PWM应用程序
负载交换机
电源管理
供电系统



*博客内容为网友个人发布,仅代表博主个人观点,如有侵权请联系工作人员删除。

参与讨论
登录后参与讨论
推荐文章
最近访客