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PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET
百盛电子01 | 2022-09-23 13:24:12    阅读：102   发布文章

特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计（开启）。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。


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