SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。
主要参数晶体管类型 ： P沟道MOSFET
功耗PD ： 1.25W
栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）
漏源电压VDS ：－20V（极限值）
漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A
通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
栅极漏电流IGSS：±100nA
结温：55℃to+150℃
封装：SOT-23
NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。
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